Resistente de alta temperatura de la hoja del hafnio de Feiteng 200*120*8m m

Hoja del hafnio de la placa 200*120*8 del hafnio

El hafnio es un elemento metálico, Hf del símbolo, número atómico 72, peso atómico 178,49. Elemental es un metal de transición brillante de los gris plateados. Hay seis isótopos naturalmente estables de hafnio: hafnio 174, 176, 177, 178, 179, 180. El hafnio no reacciona con el ácido hidroclórico diluído, el ácido sulfúrico diluído y las soluciones alcalinas fuertes, sino es soluble en ácido hidrofluórico y aqua regia. El nombre de elemento viene del nombre latino para la ciudad de Copenhague. Químico sueco Hewei XI y físico holandés Kest en 1925 con el método de cristalización de la clasificación de la sal del fluoruro de la sal del hafnio, y de la reducción del sodio del metal, conseguir el hafnio puro del metal. El hafnio se encuentra en 0,00045% de la corteza de tierra y se asocia a menudo a circonio en naturaleza. El hafnio del elemento también se utiliza en los últimos procesadores de intel45 nanómetro. Debido al Manufacturability de SiO2 y su capacidad de reducir el grueso para la mejora continua del funcionamiento del transistor, los fabricantes del procesador están utilizando SiO2 como el material dieléctrico de la puerta. Cuando la tecnología de fabricación nana de la importación 65 de Intel, ha sido cortar grueso del dieléctrico de la puerta de la silicona a 1,2 nanómetro, el equivalente de cinco capas de átomos, pero el debido al tamaño del transistor al tamaño, al consumo de energía y a la dificultad atómicos de la disipación de calor aumentará al mismo tiempo, una basura actual eléctrica y el calor innecesario, tan si continúe utilizando el material actual, más lejos reduciendo grueso, el índice de la salida del dieléctrico de la puerta aumentará perceptiblemente, que limitará la tecnología de transistores que encoge. Para abordar este problema crítico, Intel está planeando cambiar a un material más grueso, alto-k (material hafnio-basado) como el dieléctrico de la puerta, substituyendo el dióxido de silicio, que también ha reducido salida por más de 10 veces. El proceso de los 45 nanómetros de Intel dobla casi la densidad de los transistores comparados a su precursor de 65 nanómetros, aumentando el número de transistores en el procesador o reduciendo el tamaño del procesador. Además, los transistores requieren menos poder de cambiar por intervalos, usando el casi 30% menos poder. Interconecta los alambres de cobre del uso con los dieléctricos bajos-k. Mejore suavemente la eficacia y reducir el consumo de energía, cambie para acelerar el cerca de 20%.

Características:
plasticidad
Proceso fácil
Resistente de alta temperatura
Resistente a la corrosión